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767514

Sigma-Aldrich

Tantalum

sputtering target, diam. × thickness 2.00 in. × 0.25 in., 99.95% trace metals basis

Sinonimo/i:

Ta

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About This Item

Formula empirica (notazione di Hill):
Ta
Numero CAS:
Peso molecolare:
180.95
Numero CE:
Numero MDL:
Codice UNSPSC:
12352103
ID PubChem:
NACRES:
NA.23

Tensione di vapore

<0.01 mmHg ( 537.2 °C)

Saggio

99.95% trace metals basis

Stato

foil

Temp. autoaccensione

572 °F

Impiego in reazioni chimiche

core: tantalum

Resistività

13.5 μΩ-cm, 20°C

diam. × spessore

2.00 in. × 0.25 in.

P. ebollizione

5425 °C (lit.)

Punto di fusione

2996 °C (lit.)

Densità

16.69 g/cm3 (lit.)

Stringa SMILE

[Ta]

InChI

1S/Ta
GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N

Applicazioni

Sputtering is a process whereby atoms are ejected from a solid target material due to bombardment of the target by energetic particles. The extreme miniaturization of components in the semiconductor and electronics industry requires high purity sputtering targets for thin film deposition.

Codice della classe di stoccaggio

11 - Combustible Solids

Classe di pericolosità dell'acqua (WGK)

nwg

Punto d’infiammabilità (°F)

Not applicable

Punto d’infiammabilità (°C)

Not applicable


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Helmersson; U.;
Thin Solid Films, 513(1-2), 1-1 (2006)
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