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237264

Sigma-Aldrich

Resolve-Al La

99%

Sinonimo/i:

La(tmhd)3, Tris(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato)lanthanum

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About This Item

Formula condensata:
La(OCC(CH3)3CHCOC(CH3)3)3
Numero CAS:
14319-13-2
Peso molecolare:
688.71
Numero MDL:
MFCD00010466
Codice UNSPSC:
12142201
ID PubChem:
24854230
NACRES:
NA.21

Saggio

99%

Forma fisica

powder or crystals

P. eboll.

370 °C (lit.)

Punto di fusione

128-131 °C (lit.)

Stringa SMILE

CC(C)(C)C(=O)\C=C(/O[Yb](O\C(=C/C(=O)C(C)(C)C)C(C)(C)C)O\C(=C/C(=O)C(C)(C)C)C(C)(C)C)C(C)(C)C

InChI

1S/3C11H20O2.La/c3*1-10(2,3)8(12)7-9(13)11(4,5)6;/h3*7,12H,1-6H3;/q;;;+3/p-3/b3*8-7-;
IXHLTRHDDMSNAP-LWTKGLMZSA-K

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Note legali

Codice della classe di stoccaggio

11 - Combustible Solids

Classe di pericolosità dell'acqua (WGK)

WGK 3

Punto d’infiammabilità (°F)

Not applicable

Punto d’infiammabilità (°C)

Not applicable

Dispositivi di protezione individuale

Eyeshields, Gloves, type N95 (US)

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Lot/Batch Number
MKAA3317
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08516MZ
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Structural and electrical properties of a La2O3 thin film as a gate dielectric.
Jun JH, et al.
The Journal of the Korean Physical Society, 11(6) (2002)
Study on the precursors for La2O3 thin films deposited on silicon substrate.
Jun J, et al.
Journal of Materials Science Letters, 21(23), 1847-1849 (2002)
MOCVD of lanthanum oxides from La (tmhd)3 and La (tmod)3 precursors: A thermal and kinetic investigation.
Bedoya C, et al.
Chem. Vap. Deposition, 12(1), 46-53 (2006)

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