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510866

Sigma-Aldrich

Poly(3-dodecylthiophene-2,5-diyl)

regiorandom

Sinônimo(s):

P3DDT

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About This Item

Número CAS:
Número MDL:
Código UNSPSC:
12352103
NACRES:
NA.23

peso molecular

average Mn 30,000
average Mw 70,000

solubilidade

chloroform, methylene chloride, toluene, and THF: soluble

fluorescência

λex 416 nm; λem 545 nm in chloroform

Desempenho do dispositivo OPV

ITO/PEDOT:PSS/P3DDT/PC61BM (1:3)/LiF/Al

  • Short-circuit current density (Jsc): 2.9 mA/cm2
  • Open-circuit voltage (Voc): 0.6 V
  • Fill Factor (FF): 0.38
  • Power Conversion Efficiency (PCE): 0.65 %

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Descrição geral

Poly(3-dodecylthiophene-2,5-diyl) (P3DDT) is a poly(3-alkylthiophene) based conducting polymer that shows reversible electrochemistry with high conductivity. It is a regioregular polymer that can be used in the development of a variety of organic electronics based devices.

Aplicação

P3DDT can be used as a conjugating polymer in the fabrication of electrochemical devices, which include polymeric solar cells, chemical sensors and field effect transistors.
This material has solid state properties. Rechargeable battery electrodes, electrochromic devices, chemical and optical sensors, light-emitting diodes, microelectrical amplifiers, field-effect transistors and non-linear optical materials.
Conducting polymer.
Rechargeable battery electrodes, electrochromic devices, chemical and optical sensors, light-emitting diodes, microelectrical amplifiers, field-effect transistors and non-linear optical materials.

Embalagem

Packaged in glass bottles

Informações legais

Product of Rieke Metals, Inc.
Rieke is a registered trademark of Rieke Metals, Inc.

Código de classe de armazenamento

11 - Combustible Solids

Classe de risco de água (WGK)

WGK 3

Ponto de fulgor (°F)

Not applicable

Ponto de fulgor (°C)

Not applicable

Equipamento de proteção individual

Eyeshields, Gloves, type N95 (US)


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Ramuz MP, et al.
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Effects of Annealing on the Nanomorphology and Performance of Poly(alkylthiophene):Fullerene Bulk-Heterojunction Solar Cells
Nguyen, L. H.; et al.
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