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Sigma-Aldrich

Tantalum(V) oxide

99% trace metals basis

Sinônimo(s):

Tantalum pentoxide

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About This Item

Fórmula linear:
Ta2O5
Número CAS:
1314-61-0
Peso molecular:
441.89
Número CE:
215-238-2
Número MDL:
MFCD00011254
Código UNSPSC:
12352303
ID de substância PubChem:
24858127
NACRES:
NA.23

Nível de qualidade

100

Ensaio

99% trace metals basis

forma

powder

adequação da reação

reagent type: catalyst
core: tantalum

densidade

8.2 g/mL at 25 °C (lit.)

aplicação(ões)

battery manufacturing

cadeia de caracteres SMILES

O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O

InChI

1S/5O.2Ta

chave InChI

PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N

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Descrição geral

Tantalum pentoxide is dielectric in nature making it useful for making capacitors in the electronics industry.

Aplicação

Tantalum oxide is intermixed with silicon in gate dielectric structures. It may be used to synthesize hexagonally packed mesoporous tantalum oxide molecular sieves.Ion-beam sputter deposition of tantalum oxide films was investigated for possible optical coating applications.It may be used in making optical glass for lenses and in electronic circuits.

Código de classe de armazenamento

11 - Combustible Solids

Classe de risco de água (WGK)

nwg

Ponto de fulgor (°F)

Not applicable

Ponto de fulgor (°C)

Not applicable

Equipamento de proteção individual

Eyeshields, Gloves, type N95 (US)

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Certificados de análise (COA)

Lot/Batch Number
MKCP0622
MKCN8315
MKCL4098
MKCK7401
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Antonelli DM and Ying JY
Chemistry of Materials, 8(4), 874-881 (1996)
Intermixing at the tantalum oxide/silicon interface in gate dielectric structures.
Alers GB, et al.
Applied Physics Letters, 73(11), 1517-1519 (1998)
Effects of oxygen content on the optical properties of tantalum oxide films deposited by ion-beam sputtering.
H Demiryont et al.
Applied optics, 24(4), 490-490 (1985-02-15)

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