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Sigma-Aldrich

Indium(III) chloride tetrahydrate

97%

Synonyme(s) :

Indium trichloride tetrahydrate, Trichloroindigane tetrahydrate

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About This Item

Formule linéaire :
InCl3 · 4H2O
Numéro CAS:
22519-64-8
Poids moléculaire :
293.24
Numéro CE :
233-043-0
Numéro MDL:
MFCD00149746
Code UNSPSC :
12352302
ID de substance PubChem :
24860218
Nomenclature NACRES :
NA.23

Pureté

97%

Forme

solid

Pertinence de la réaction

reagent type: catalyst
core: indium

Chaîne SMILES 

O.O.O.O.Cl[In](Cl)Cl

InChI

1S/3ClH.In.4H2O/h3*1H;;4*1H2/q;;;+3;;;;/p-3

Clé InChI

UKCIUOYPDVLQFW-UHFFFAOYSA-K

Catégories apparentées

Description générale

Indium(III) chloride tetrahydrate is a Lewisacid widely used as a catalyst for various organic transformationssuch as Friedel-Crafts acylation and aldolcondensation. It is also used as a precursor to prepare indium-based thin filmsfor solar cells.

Application

Indium(III) chloride tetrahydrate can be used:
  • As a catalyst for the stereoselective synthesis of highly substituted 4-Piperidones via double Mannich reaction.
  • To fabricate In2S3 thin films that act as buffer layers for inverted organic photovoltaic cells.
  • As a precursor to prepare ZnO/CuInS2 nanocomposite with photocatalytic activity.
  • To fabricate Indium tin oxide(ITO) thin films for various applicationssuch as gas sensors, solar cells, and conductive inks.

Pictogrammes

Corrosion
GHS05

Mention d'avertissement

Danger

Mentions de danger

H314

Classification des risques

Skin Corr. 1B

Code de la classe de stockage

8A - Combustible corrosive hazardous materials

Classe de danger pour l'eau (WGK)

WGK 3

Point d'éclair (°F)

Not applicable

Point d'éclair (°C)

Not applicable

Équipement de protection individuelle

Eyeshields, Faceshields, Gloves, type P3 (EN 143) respirator cartridges

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Certificats d'analyse (COA)

Lot/Batch Number
MKCQ1793
MKCM3942
MKCK4982
MKCH8767
MKCG6933

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Chi H Nguyen et al.
International journal of toxicology, 39(3), 218-231 (2020-04-02)
The semiconductor manufacturing sector plans to introduce III/V film structures (eg, gallium arsenide (GaAs), indium arsenide (InAs) onto silicon wafers due to their high electron mobility and low power consumption. Aqueous solutions generated during chemical and mechanical planarization of silicon

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