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Merck

334073

Sigma-Aldrich

Indium(III)-chlorid Tetrahydrat

97%

Synonym(e):

Indium trichloride tetrahydrate, Trichloroindigane tetrahydrate

Anmeldenzur Ansicht organisationsspezifischer und vertraglich vereinbarter Preise


About This Item

Lineare Formel:
InCl3 · 4H2O
CAS-Nummer:
Molekulargewicht:
293.24
EG-Nummer:
MDL-Nummer:
UNSPSC-Code:
12352302
PubChem Substanz-ID:
NACRES:
NA.23

Assay

97%

Form

solid

Eignung der Reaktion

reagent type: catalyst
core: indium

SMILES String

O.O.O.O.Cl[In](Cl)Cl

InChI

1S/3ClH.In.4H2O/h3*1H;;4*1H2/q;;;+3;;;;/p-3

InChIKey

UKCIUOYPDVLQFW-UHFFFAOYSA-K

Allgemeine Beschreibung

Indium(III) chloride tetrahydrate is a Lewisacid widely used as a catalyst for various organic transformationssuch as Friedel-Crafts acylation and aldolcondensation. It is also used as a precursor to prepare indium-based thin filmsfor solar cells.

Anwendung

Indium(III) chloride tetrahydrate can be used:
  • As a catalyst for the stereoselective synthesis of highly substituted 4-Piperidones via double Mannich reaction.
  • To fabricate In2S3 thin films that act as buffer layers for inverted organic photovoltaic cells.
  • As a precursor to prepare ZnO/CuInS2 nanocomposite with photocatalytic activity.
  • To fabricate Indium tin oxide(ITO) thin films for various applicationssuch as gas sensors, solar cells, and conductive inks.

Piktogramme

Corrosion

Signalwort

Danger

H-Sätze

Gefahreneinstufungen

Skin Corr. 1B

Lagerklassenschlüssel

8A - Combustible corrosive hazardous materials

WGK

WGK 3

Flammpunkt (°F)

Not applicable

Flammpunkt (°C)

Not applicable

Persönliche Schutzausrüstung

Eyeshields, Faceshields, Gloves, type P3 (EN 143) respirator cartridges


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Chi H Nguyen et al.
International journal of toxicology, 39(3), 218-231 (2020-04-02)
The semiconductor manufacturing sector plans to introduce III/V film structures (eg, gallium arsenide (GaAs), indium arsenide (InAs) onto silicon wafers due to their high electron mobility and low power consumption. Aqueous solutions generated during chemical and mechanical planarization of silicon

Artikel

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