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667846

Sigma-Aldrich

BBL

Sinónimos:

BBL

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About This Item

Fórmula lineal:
(C20H6N4O2)n
Número de CAS:
34398-57-7
MDL number:
MFCD08705356
UNSPSC Code:
12352103
NACRES:
NA.23

description

Band gap: 1.9 eV

form

solid

orbital energy

HOMO -5.9 eV 
LUMO -4.0 eV 

OPV device performance

ITO/MEH-PPV/BBL/Al

  • Short-circuit current density (Jsc): 1.98 mA/cm2
  • Open-circuit voltage (Voc): 0.93 V
  • Fill Factor (FF): 0.47
  • Power Conversion Efficiency (PCE): 1.1 %

ITO/PPV/BBL/Al
  • Short-circuit current density (Jsc): 2.15 mA/cm2
  • Open-circuit voltage (Voc): 1.1 V
  • Fill Factor (FF): 0.5
  • Power Conversion Efficiency (PCE): 1.5 %

semiconductor properties

N-type (mobility=0.1 cm2/V·s)
P-type (mobility=0.4 cm2/V·s)

Application

Polymer semiconductor with n-type behavior in organic field-effect transistors (FETs) and photovoltaic cells (PVs). Processed from solutions in methanesulfonic acid.

Storage Class

11 - Combustible Solids

wgk_germany

WGK 3

flash_point_f

Not applicable

flash_point_c

Not applicable

ppe

Eyeshields, Gloves, type N95 (US)

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Certificados de análisis (COA)

Lot/Batch Number
MKCP5094
MKCM4006
MKBW2127V
MKBT0936V
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Jenekhe, S.A.; Yi, S.
Applied Physics Letters, 77, 2635-2635 (2000)
Amit Babel et al.
Journal of the American Chemical Society, 125(45), 13656-13657 (2003-11-06)
Field-effect mobility of electrons as high as 0.1 cm2/(V s) is observed in n-channel thin film transistors fabricated from a solution spin-coated conjugated ladder polymer, poly(benzobisimidazobenzophenanthroline) (BBL), under ambient air conditions. This is the highest electron mobility observed to date
Efficient Solar Cells from Layered Nanostructures of Donor and Acceptor Conjugated Polymers
Alam, M. M.; Jenekhe, S. A.
Chemistry of Materials, 16, 4647-4656 (2004)
Manoj, A.G.; Narajan, K.S.
Opt. Mater., 21, 417-417 (2002)

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