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형태
dispersion
농도
2.5 wt. % (crystalline Al doped ZnO (3.15 mol% Al) in α-terpineol)
작업 기능
-4.1--4.5 eV
입자 크기
8-16 nm
점도
25-37 cP
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애플리케이션
제조 메모
- Storage: In dark at room temperature.
- Prior to application: Shake, ultrasonicate with sonic horn and (optionally) filter through 0.45μm PTFE filter.
- Post-treatment: Annealing of deposited Al doped ZnO films at >120°C.
법적 정보
신호어
Warning
유해 및 위험 성명서
Hazard Classifications
Aquatic Chronic 2 - Eye Irrit. 2 - Skin Irrit. 2
Storage Class Code
10 - Combustible liquids
WGK
WGK 2
Flash Point (°F)
197.0 °F
Flash Point (°C)
91.67 °C
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문서
Professor Tokito and Professor Takeda share their new materials, device architecture design principles, and performance optimization protocols for printed and solution-processed, low-cost, highly flexible, organic electronic devices.
Recent progress in the area of solution-processed functional materials has led to the development of a variety of thin-film optoelectronic devices with significant promise in the industrial and consumer electronics fields.
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