Passa al contenuto
Merck
Tutte le immagini(1)

Documenti

205184

Sigma-Aldrich

Hexachlorodisilane

96%

Sinonimo/i:

1,1,1,2,2,2-Hexachlorodisilane, Disilicon hexachloride, HCDS

Autenticatiper visualizzare i prezzi riservati alla tua organizzazione & contrattuali
Tutte le immagini(1)

About This Item

Formula condensata:
(SiCl3)2
Numero CAS:
13465-77-5
Peso molecolare:
268.89
Numero CE:
236-704-1
Numero MDL:
MFCD00011599
Codice UNSPSC:
12352103
ID PubChem:
24852311
NACRES:
NA.23

Saggio

96%

Forma fisica

liquid

Indice di rifrazione

n20/D 1.475 (lit.)

P. eboll.

144-145.5 °C (lit.)

Densità

1.562 g/mL at 25 °C (lit.)

Stringa SMILE

Cl[Si](Cl)(Cl)[Si](Cl)(Cl)Cl

InChI

1S/Cl6Si2/c1-7(2,3)8(4,5)6
LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N

Cerchi prodotti simili? Visita Guida al confronto tra prodotti

Descrizione generale

Hexachlorodisilane (HCDS) is a chlorosilane used as a precursor for producing disilanes. It is a dioxidizer that is used in the production of silicon films and silicon nitride based films.

Applicazioni

HCDS can be used in the fabrication of silica aerogels by chemical vapor deposition (CVD), which can be potentially used as encapsulating agents and thermal insulators. It can also be used to synthesize 1,1,1,2,2,2-hexaamino-disilanes using CVD, which forms silicon-based films for microelectronic-based applications.
HCDS may be used as a reducing agent. It may be combined with ammonia to form silicon nitride by chemical vapor deposition(CVD) technique.

Accessorio

N° Catalogo
Descrizione
Determinazione del prezzo

Pittogrammi

Corrosion
GHS05

Avvertenze

Danger

Indicazioni di pericolo

H314

Classi di pericolo

Skin Corr. 1B

Rischi supp

EUH014

Codice della classe di stoccaggio

8A - Combustible corrosive hazardous materials

Classe di pericolosità dell'acqua (WGK)

WGK 3

Punto d’infiammabilità (°F)

Not applicable

Punto d’infiammabilità (°C)

Not applicable

Dispositivi di protezione individuale

Faceshields, Gloves, Goggles, type ABEK (EN14387) respirator filter

Certificati d'analisi (COA)

Cerca il Certificati d'analisi (COA) digitando il numero di lotto/batch corrispondente. I numeri di lotto o di batch sono stampati sull'etichetta dei prodotti dopo la parola ‘Lotto’ o ‘Batch’.

Possiedi già questo prodotto?

I documenti relativi ai prodotti acquistati recentemente sono disponibili nell’Archivio dei documenti.

Visita l’Archivio dei documenti

Film Properties of Low?k Silicon Nitride Films Formed by Hexachlorodisilane and Ammonia.
Tanaka M , et al.
Journal of the Electrochemical Society, 147(6), 2284-2289 (2000)
Enhancing mechanical properties of silica aerogels
Obrey, K. A., Wilson, K. V., & Loy, D. A.
Journal of Non-Crystalline Solids, 375(19), 3435-3441 (2011)
Z Yu et al.
Journal of chromatography. A, 903(1-2), 183-191 (2001-01-12)
Carbon isotopic compositions of aetio I occurring in the form of free-base, nickel, demetallation, dihydroxysilicon(IV) and bis(tert.-butyldimethylsiloxy)silicon(IV) [(tBDMSO)2Si(IV)] have shown that it has experienced no obvious isotope fractionation during the synthesis of [(tBDMSO)2Si(IV)] porphyrin from aetio I. Here, aetio I
The Raman Spectrum of Hexachlorodisilane
Katayama M, et al.
J. Chem. Phys., 18(4), 506-509 (1950)
Chemical vapor deposition of silicon films using hexachlorodisilane
Taylor, R. C., Scott, B. A., Lin, S. T., LeGoues, F., & Tsang, J. C.
MRS Proceedings, 77, 709-709 (1986)
Visualizza tutti i documenti correlati

Il team dei nostri ricercatori vanta grande esperienza in tutte le aree della ricerca quali Life Science, scienza dei materiali, sintesi chimica, cromatografia, discipline analitiche, ecc..

Contatta l'Assistenza Tecnica.