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描述
Band gap: 1.9 eV
形狀
particles
分子量
Mw 80,000-200,000 g/mol by GPC
顏色
Fine
溶解度
chlorobenzene: soluble
chloroform: soluble
dichlorobenzene: soluble
軌道能量
HOMO -5.5 eV
LUMO -3.6 eV
蛋白質二硫鍵異構酶
2‑4
相关类别
應用
PBDB-T-2F可用作OFET设备中的活性半导体层。PBDB-T-2F可用作有机太阳能电池设备中光活性层的供体材料。它具有广泛的吸收光谱,可吸收各种波长的光,包括可见和近红外区。
高效有机太阳能电池 (OPV)
聚合物供体材料
LUMO=−3.6 eV
HOMO=−5.5 eV
OPV设备性能:
PBDB-T-2F:ITIC-F (1:1 w/w)
Voc= 0.84V
Jsc= 22.2 mA/cm2
FF= 0.725
PCE=13.5%
PBDB-T-2F(或PM6)是一种包含氟化噻吩基苯并二噻吩(BDT-2F)的宽带隙聚合物供体(N型半导体),用于高性能聚合物太阳能电池(PSC)。PBDB-T-2F具有高结晶性和强烈的π-π堆积排列,有利于电荷载流子的传输,从而抑制了器件中的重组。据报道,基于PBDBT-2F的PSC具有厚度和面积不敏感的性能,并且是大规模滚动制造高效聚合物太阳能电池的有前途的候选者。
例如,最近,新的研究表明,基于pBDB-T-2F:IT-4F(Sigma Aldrich目录编号901423)的PSC产生了令人印象深刻的PCE,为13.5%,这是由于供体和受体上氟化的协同效应,这是迄今为止PSC文献中记录的最高值之一[1]。基于PBDB-T-2F:IT-4F的PSC相对于有效性也显示出良好的存储,热和照明稳定性。在广泛的膜面积和厚度范围内,高效性保持在>11%。当与基于硒代苯[3,2-b]噻吩的窄带隙非富勒烯受体配对时,获得了令人印象深刻的13.3%的有效性,具有厚度不敏感的特征。
以前也有报道,PBDB-T-2F与窄带隙小分子受体2,2′-((2Z,2′Z)-((4,4,9,9-四己基-4,9-二氢-s-茚并[1,2-b:5,6-b′]二噻吩-2,7-二基)双(亚甲基))双(3-氧代-2,3-二氢-1H-茚-2,1-二亚基))二丙二腈(IDIC),铸态薄膜(未经额外处理)显示出11.9%的出色功率转换有效性(PCE),是铸态聚合物太阳能电池的记录值。此外,基于PBdB-T-2F:IDIC的器件的性能对有源层厚度(≅95-255 nm)和器件面积(0.20-0.81 cm2)不敏感,因此是未来卷到卷的有希望的候选者批量制造和高效PSC的实际应用。
PBDB-T-2F在300-685 nm的短波长范围内具有很强的吸收,具有1.80 eV的大带隙,与ITIC(1.55 eV)互补,有助于实现PSC中的高短路电流(Jsc)。此外,PBDB-T-2F显示出−5.50 eV的深HOMO水平,强结晶性和堆积的主要面,这有助于在PSC中实现高开路电压(Voc)并填充因子(FF)。
聚合物供体材料
LUMO=−3.6 eV
HOMO=−5.5 eV
OPV设备性能:
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Jsc= 22.2 mA/cm2
FF= 0.725
PCE=13.5%
PBDB-T-2F(或PM6)是一种包含氟化噻吩基苯并二噻吩(BDT-2F)的宽带隙聚合物供体(N型半导体),用于高性能聚合物太阳能电池(PSC)。PBDB-T-2F具有高结晶性和强烈的π-π堆积排列,有利于电荷载流子的传输,从而抑制了器件中的重组。据报道,基于PBDBT-2F的PSC具有厚度和面积不敏感的性能,并且是大规模滚动制造高效聚合物太阳能电池的有前途的候选者。
例如,最近,新的研究表明,基于pBDB-T-2F:IT-4F(Sigma Aldrich目录编号901423)的PSC产生了令人印象深刻的PCE,为13.5%,这是由于供体和受体上氟化的协同效应,这是迄今为止PSC文献中记录的最高值之一[1]。基于PBDB-T-2F:IT-4F的PSC相对于有效性也显示出良好的存储,热和照明稳定性。在广泛的膜面积和厚度范围内,高效性保持在>11%。当与基于硒代苯[3,2-b]噻吩的窄带隙非富勒烯受体配对时,获得了令人印象深刻的13.3%的有效性,具有厚度不敏感的特征。
以前也有报道,PBDB-T-2F与窄带隙小分子受体2,2′-((2Z,2′Z)-((4,4,9,9-四己基-4,9-二氢-s-茚并[1,2-b:5,6-b′]二噻吩-2,7-二基)双(亚甲基))双(3-氧代-2,3-二氢-1H-茚-2,1-二亚基))二丙二腈(IDIC),铸态薄膜(未经额外处理)显示出11.9%的出色功率转换有效性(PCE),是铸态聚合物太阳能电池的记录值。此外,基于PBdB-T-2F:IDIC的器件的性能对有源层厚度(≅95-255 nm)和器件面积(0.20-0.81 cm2)不敏感,因此是未来卷到卷的有希望的候选者批量制造和高效PSC的实际应用。
PBDB-T-2F在300-685 nm的短波长范围内具有很强的吸收,具有1.80 eV的大带隙,与ITIC(1.55 eV)互补,有助于实现PSC中的高短路电流(Jsc)。此外,PBDB-T-2F显示出−5.50 eV的深HOMO水平,强结晶性和堆积的主要面,这有助于在PSC中实现高开路电压(Voc)并填充因子(FF)。
儲存類別代碼
11 - Combustible Solids
水污染物質分類(WGK)
WGK 3
閃點(°F)
Not applicable
閃點(°C)
Not applicable
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商品
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