Saltar al contenido
Merck

87921

Sigma-Aldrich

Tetramethylsilane

≥99.0% (GC)

Sinónimos:

TMS

Iniciar sesiónpara Ver la Fijación de precios por contrato y de la organización


About This Item

Fórmula lineal:
Si(CH3)4
Número de CAS:
Peso molecular:
88.22
Beilstein:
1696908
Número CE:
Número MDL:
Código UNSPSC:
12352103
ID de la sustancia en PubChem:
NACRES:
NA.22

presión de vapor

11.66 psi ( 20 °C)

Nivel de calidad

Análisis

≥99.0% (GC)

formulario

liquid

temp. de autoignición

842 °F

índice de refracción

n20/D 1.358 (lit.)
n20/D 1.359

bp

26-28 °C (lit.)

mp

−99 °C (lit.)

densidad

0.648 g/mL at 25 °C (lit.)

temp. de almacenamiento

2-8°C

cadena SMILES

C[Si](C)(C)C

InChI

1S/C4H12Si/c1-5(2,3)4/h1-4H3

Clave InChI

CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N

¿Está buscando productos similares? Visita Guía de comparación de productos

Aplicación

Tetramethylsilane can be used as a silicon precursor for the synthesis of silicon doped diamond-like carbon (DLC-Si) films and silicon carbide (SiC) bulk crystals. It can also be used as a hydrocarbon substrate to study intermolecular C-H activation chemistry.

Pictogramas

Flame

Palabra de señalización

Danger

Frases de peligro

Consejos de prudencia

Clasificaciones de peligro

Flam. Liq. 1

Código de clase de almacenamiento

3 - Flammable liquids

Clase de riesgo para el agua (WGK)

WGK 3

Punto de inflamabilidad (°F)

-16.6 °F - closed cup

Punto de inflamabilidad (°C)

-27 °C - closed cup

Equipo de protección personal

Eyeshields, Faceshields, Gloves


Elija entre una de las versiones más recientes:

Certificados de análisis (COA)

Lot/Batch Number

¿No ve la versión correcta?

Si necesita una versión concreta, puede buscar un certificado específico por el número de lote.

¿Ya tiene este producto?

Encuentre la documentación para los productos que ha comprado recientemente en la Biblioteca de documentos.

Visite la Librería de documentos

Intermolecular C- H Activation of Hydrocarbons by Tungsten Alkylidene Complexes: An Experimental and Computational Mechanistic Study.
Adams CS, et al.
Organometallics, 20(23), 4939-4955 (2001)
The mechanical and biocompatibility properties of DLC-Si films prepared by pulsed DC plasma activated chemical vapor deposition.
Bendavid A, et al.
Diamond and Related Materials, 16(8), 1616-1622 (2007)
High-temperature chemical vapor deposition for SiC single crystal bulk growth using tetramethylsilane as a precursor.
Nam DH, et al.
Crystal Growth & Design, 14(11), 5569-5574 (2014)
The effects of Si incorporation on the electrochemical and nanomechanical properties of DLC thin films.
Papakonstantinou P, et al.
Diamond and Related Materials, 11(3-6), 1074-1080 (2002)
Roy E Hoffman
Journal of magnetic resonance (San Diego, Calif. : 1997), 163(2), 325-331 (2003-08-14)
The chemical shift of TMS is commonly assumed to be zero. However, it varies by over 1 ppm for 1H and 4 ppm for 13C and shows a correlation with the physical properties of the solvent. Using the commonly accepted

Nuestro equipo de científicos tiene experiencia en todas las áreas de investigación: Ciencias de la vida, Ciencia de los materiales, Síntesis química, Cromatografía, Analítica y muchas otras.

Póngase en contacto con el Servicio técnico