Saltar al contenido
Merck

553468

Sigma-Aldrich

Tris(tert-butoxy)silanol

99.999%

Sinónimos:

TBS

Iniciar sesiónpara Ver la Fijación de precios por contrato y de la organización


About This Item

Fórmula lineal:
((CH3)3CO)3SiOH
Número de CAS:
Peso molecular:
264.43
Número MDL:
Código UNSPSC:
12352103
ID de la sustancia en PubChem:
NACRES:
NA.23

Nivel de calidad

Análisis

99.999%

formulario

solid

bp

205-210 °C (lit.)

mp

63-65 °C (lit.)

cadena SMILES

CC(C)(C)O[Si](O)(OC(C)(C)C)OC(C)(C)C

InChI

1S/C12H28O4Si/c1-10(2,3)14-17(13,15-11(4,5)6)16-12(7,8)9/h13H,1-9H3

Clave InChI

HLDBBQREZCVBMA-UHFFFAOYSA-N

¿Está buscando productos similares? Visita Guía de comparación de productos

Descripción general

Tris(tert-butoxy)silanol can react with various metal alkyl amides to act as precursors for vapor deposition metal silicates. It also acts as a suitable precursor for deposition of silica.

Aplicación

Tris(tert-alkoxy)silanols reacts with tetrakis(dimethylamino)-hafnium vapor(Hf(N(CH3)2)4) for vapor phase deposition of hafnium silicate glass films. Tris(tert-butoxy)silanol is used for atomic layer deposition (ALD) of highly conformal layers of amorphous silicon dioxide and aluminum oxide nanolaminates.

Código de clase de almacenamiento

11 - Combustible Solids

Clase de riesgo para el agua (WGK)

WGK 3

Punto de inflamabilidad (°F)

Not applicable

Punto de inflamabilidad (°C)

Not applicable

Equipo de protección personal

Eyeshields, Gloves, type N95 (US)


Elija entre una de las versiones más recientes:

Certificados de análisis (COA)

Lot/Batch Number

¿No ve la versión correcta?

Si necesita una versión concreta, puede buscar un certificado específico por el número de lote.

¿Ya tiene este producto?

Encuentre la documentación para los productos que ha comprado recientemente en la Biblioteca de documentos.

Visite la Librería de documentos

Rapid vapor deposition of highly conformal silica nanolaminates.
Hausmann D, et al.
Science, 298(5592), 402-406 null
Rapid SiO2 Atomic Layer Deposition Using Tris(tert-pentoxy)silanol.
Burton B, et al.
Chemistry of Materials, 20, 7031-7043 (2008)
Vapor deposition of metal oxides and silicates: Possible gate insulators for future microelectronics.
Gordon G, et al.
Chemistry of Materials, 13(8), 2463-2464 (2001)
Jonathan Stewart et al.
Modern pathology : an official journal of the United States and Canadian Academy of Pathology, Inc, 28(3), 428-436 (2014-09-27)
The oncogenic role of WNT is well characterized. Wntless (WLS) (also known as GPR177, or Evi), a key modulator of WNT protein secretion, was recently found to be highly overexpressed in malignant astrocytomas. We hypothesized that this molecule may be
Pedro A Dionísio et al.
Neurobiology of aging, 36(1), 228-240 (2014-12-03)
Alzheimer's disease (AD) is a neurodegenerative disorder hallmarked by the accumulation of extracellular amyloid-β (Aβ) peptide and intraneuronal hyperphosphorylated tau, as well as chronic neuroinflammation. Tauroursodeoxycholic acid (TUDCA) is an endogenous anti-apoptotic bile acid with potent neuroprotective properties in several

Artículos

atomic layer deposition (ALD), microelectronics, Mo:Al2O3 films, nanocomposite coating, photovoltaics, semiconductor devices, W:Al2O3 films, composite films, layer-by-layer

A hard disk drive (HDD) is a data storage device that stores digital information by magnetizing nanosized magnets on flat disks and retrieves data by sensing the resulting magnetic field.

Spin-based electronic (spintronic) devices offer significant improvement to the limits of conventional charge-based memory and logic devices which suffer from high power usage, leakage current, performance saturation, and device complexity.

Hybrid organic-inorganic sol-gel materials containing silica were first called “ORMOSILs” in 1984.

Nuestro equipo de científicos tiene experiencia en todas las áreas de investigación: Ciencias de la vida, Ciencia de los materiales, Síntesis química, Cromatografía, Analítica y muchas otras.

Póngase en contacto con el Servicio técnico