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Sigma-Aldrich

Bis(methyl-η5−cyclopentadienyl)methoxymethylzirconium

packaged for use in deposition systems

Synonyme(s) :

ZRCMMM, ZrD-CO4

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About This Item

Formule linéaire :
Zr(CH3C5H4)2CH3OCH3
Poids moléculaire :
295.53
Numéro MDL:
Code UNSPSC :
12352103
ID de substance PubChem :
Nomenclature NACRES :
NA.23

Forme

liquid

Pertinence de la réaction

core: zirconium

Couleur

colorless

Point d'ébullition

110 °C/0.5 mmHg (lit.)

Densité

1.27 g/mL±0.01 g/mL at 25 °C (lit.)

Chaîne SMILES 

C[C]1[C][C][C][C]1.C[C]2[C][C][C][C]2.C[Zr]OC

InChI

1S/2C6H7.CH3O.CH3.Zr/c2*1-6-4-2-3-5-6;1-2;;/h2*2-5H,1H3;1H3;1H3;/q;;-1;;+1

Clé InChI

LFGIFPGCOXPKMG-UHFFFAOYSA-N

Description générale

Atomic number of base material: 40 Zirconium

Application

Advanced precursor for atomic layer deposition of ZrO2 thin films. Hafnium and zirconium oxides are leading candidates to replace silicion dioxide as the gate oxide in a variety of semiconductor and energy applications. Excellent properties of HfO2 and ZrO2 films make them especially attractive for gate oxide replacement and as potential insulating dielectrics for capacitive elements in memory devices such as DRAM.

Caractéristiques et avantages

Compatible with a variety of oxidants in ALD growth processes across a wide temperature range exhibiting self limiting growth up to 400 °C. Precursor volatility and thermal stability properties enable easy materials transport from bubblers into conventional deposition tools.

Conditionnement

Packaged in stainless steel cylinders compatible with conventional deposition systems. Precursors may be used in liquid injection systems as dilute solutions and in combination with a variety of other sources to deposit mixed oxides.

Pictogrammes

Exclamation mark

Mention d'avertissement

Warning

Mentions de danger

Conseils de prudence

Classification des risques

Acute Tox. 4 Oral - Eye Irrit. 2 - Skin Irrit. 2

Code de la classe de stockage

10 - Combustible liquids not in Storage Class 3

Classe de danger pour l'eau (WGK)

WGK 3

Point d'éclair (°F)

226.4 °F

Point d'éclair (°C)

108 °C


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J. W. Elama
Applied Physics Letters, 91, 253123-253123 (2007)
High-k gate dielectrics: current status and material properties considerations
Wilk, G.D.; Wallace, R.M.; Anthony, J.M.
Journal of Applied Physics, 89, 5243-5243 (2001)
Gutsche, M.; Seidl, H.; Luetzen J.; Birner, A.;
International Electron Devices Meeting, 18-18 (2001)

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