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Merck

920932

Sigma-Aldrich

Monolayer hexagonal Boron Nitride (hBN) on Si/SiO2 wafer

diam. 100 mm (4 in.)

Synonym(e):

Boronitrene, Hexagonal boron nitride monolayer, Single-layer hexagonal boron nitride, White graphene

Anmeldenzur Ansicht organisationsspezifischer und vertraglich vereinbarter Preise


About This Item

Empirische Formel (Hill-System):
BN
CAS-Nummer:
Molekulargewicht:
24.82
MDL-Nummer:
UNSPSC-Code:
12352302
NACRES:
NA.23

Beschreibung

Monolayer h-BN
hBN Coverage: 100% with sporadic adlayers
Bandgap: 5.97 eV
Raman Peak: 1370 /cm-1

Orientation: <1-0-0>
Metal Impurities: 1.00e10 – 5.00e10 (at/cm2)

Substrate
Type/Doping: P/B
Wafer Thickness : 500 ± 50 μm
Oxide Thickness: 300 nm
Resistivity: 1 – 10 (ohm/cm)

Qualitätsniveau

Durchmesser

100 mm (4 in.)

Korngröße

>4 μm

InChI

1S/BN/c1-2

InChIKey

PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N

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Anwendung

Monolayer hexagonal boron nitride (h-BN), also known as ″white graphene″, is a wide-bandgap 2D crystal (∼6 eV that can be tuned to ∼2 eV) with exceptional strength, large oxidation resistance at high temperatures, and optical functionalities. Among its potential applications are:
  • Two-dimensional electronics
  • Nanophotonic and other optoelectronic devices
  • Quantum communication and information science
  • Aerospace industry
  • MEMS and NEMS
  • Micro-/nano- actuators
  • Insulating/transparent coatings.

Lagerung und Haltbarkeit

To ensure the maximum shelf life of your hBN sample, it is best stored under vacuum or in inert atmosphere (Argon or Nitrogen) conditions once the vacuum sealed package has been opened.

Lagerklassenschlüssel

13 - Non Combustible Solids

WGK

WGK 3


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Monolayer to Bulk Properties of Hexagonal Boron Nitride.
Wickramaratne D, et al.
The Journal of Physical Chemistry C, 122(44), 25524-25529 (2018)
Xu-Qian Zheng et al.
Microsystems & nanoengineering, 3, 17038-17038 (2017-07-31)
Atomic layers of hexagonal boron nitride (h-BN) crystal are excellent candidates for structural materials as enabling ultrathin, two-dimensional (2D) nanoelectromechanical systems (NEMS) due to the outstanding mechanical properties and very wide bandgap (5.9 eV) of h-BN. In this work, we report
Kun Ba et al.
Scientific reports, 7, 45584-45584 (2017-04-04)
Monolayer hexagonal boron nitride (h-BN) possesses a wide bandgap of ~6 eV. Trimming down the bandgap is technically attractive, yet poses remarkable challenges in chemistry. One strategy is to topological reform the h-BN's hexagonal structure, which involves defects or grain boundaries

Unser Team von Wissenschaftlern verfügt über Erfahrung in allen Forschungsbereichen einschließlich Life Science, Materialwissenschaften, chemischer Synthese, Chromatographie, Analytik und vielen mehr..

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