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Sigma-Aldrich

5,5′′′-Bis(tridecafluorohexyl)-2,2′:5′,2 ′′:5′′,2′′′-quaterthiophene

Sinônimo(s):

α,ω-Diperfluorohexyl-quarterthiophene, DFH-4T

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About This Item

Fórmula empírica (Notação de Hill):
C28H8F26S4
Número CAS:
446043-85-2
Peso molecular:
966.58
Número MDL:
MFCD23098728
Código UNSPSC:
12352103
ID de substância PubChem:
329767133
NACRES:
NA.23

Formulário

solid

Nível de qualidade

100

pf

205-210 °C

propriedades semicondutoras

N-type (mobility≤0.64 cm2/V·s)

cadeia de caracteres SMILES

FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)c1ccc(s1)-c2ccc(s2)-c3ccc(s3)-c4ccc(s4)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F

InChI

1S/C28H8F26S4/c29-17(30,19(33,34)21(37,38)23(41,42)25(45,46)27(49,50)51)15-7-5-13(57-15)11-3-1-9(55-11)10-2-4-12(56-10)14-6-8-16(58-14)18(31,32)20(35,36)22(39,40)24(43,44)26(47,48)28(52,53)54/h1-8H

chave InChI

UBMTYFFPSPVBSP-UHFFFAOYSA-N

Descrição geral

5,5′′′-Bis(tridecafluorohexyl)-2,2′:5′,2′′:5′′,2′′′-quaterthiophene (DFH-4T) is a n-type semiconducting material. It is a quaterthiophene derivative that contains fluoroalkyl groups and can be used as an electron transporting layer. It can be used in organic electronics.

Aplicação

This molecule has shown high mobilities (electron mobilities of up to 0.64 cm2/Vs) when used as an n-type semiconducting material in OFET devices.

Código de classe de armazenamento

11 - Combustible Solids

Classe de risco de água (WGK)

WGK 3

Ponto de fulgor (°F)

Not applicable

Ponto de fulgor (°C)

Not applicable

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Certificados de análise (COA)

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A new method of using supercritical carbon dioxide as a green solvent for synthesis and purification of 5, 5?-bis (tridecafluorohexyl)-2, 2?: 5?, 2 ?: 5 ?, 2?-quaterthiophene, which is one of n-type organic semiconducting materials
Hirase R, et al.
Tetrahedron Letters, 59(5), 469-472 (2018)
Hakan Usta et al.
Accounts of chemical research, 44(7), 501-510 (2011-05-28)
Organic semiconductors have unique properties compared to traditional inorganic materials such as amorphous or crystalline silicon. Some important advantages include their adaptability to low-temperature processing on flexible substrates, low cost, amenability to high-speed fabrication, and tunable electronic properties. These features
Overlapping-Gate Organic Light-Emitting Transistors
Lee J, et al.
Advanced Electronic Materials, 5(1), 1800437-1800437 (2019)

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