Accéder au contenu
Merck
Toutes les photos(1)

Documents

539279

Sigma-Aldrich

Octenyltrichlorosilane, mixture of isomers

96%

Se connecterpour consulter vos tarifs contractuels et ceux de votre entreprise/organisme


About This Item

Formule linéaire :
CH2=CH(CH2)6SiCl3
Numéro CAS:
Poids moléculaire :
245.65
Numéro MDL:
Code UNSPSC :
12352103
ID de substance PubChem :
Nomenclature NACRES :
NA.23

Pureté

96%

Impuretés

10-15% internal olefin isomers

Indice de réfraction

n20/D 1.458 (lit.)

Point d'ébullition

223-224 °C (lit.)

Densité

1.07 g/mL at 25 °C (lit.)

Chaîne SMILES 

Cl[Si](Cl)(Cl)CCCCCCC=C

InChI

1S/C8H15Cl3Si/c1-2-3-4-5-6-7-8-12(9,10)11/h2H,1,3-8H2

Clé InChI

MFISPHKHJHQREG-UHFFFAOYSA-N

Description générale

Octenyltrichlorosilane, mixture of isomers (OTTS) is a derivative of trichlorosilane that forms a self-assembled monolayer (SAM) on a variety of substrates. It can be utilized in adhesion promotion and in the modification of surface characteristics.

Application

OTTS forms a SAM on silica coated alumina implants which find potential application in orthopedics as a useful biomaterials.

Pictogrammes

Corrosion

Mention d'avertissement

Danger

Mentions de danger

Classification des risques

Eye Dam. 1 - Skin Corr. 1B

Code de la classe de stockage

8A - Combustible corrosive hazardous materials

Classe de danger pour l'eau (WGK)

WGK 3

Point d'éclair (°F)

201.0 °F - closed cup

Point d'éclair (°C)

93.9 °C - closed cup

Équipement de protection individuelle

Faceshields, Gloves, Goggles, type ABEK (EN14387) respirator filter


Certificats d'analyse (COA)

Recherchez un Certificats d'analyse (COA) en saisissant le numéro de lot du produit. Les numéros de lot figurent sur l'étiquette du produit après les mots "Lot" ou "Batch".

Déjà en possession de ce produit ?

Retrouvez la documentation relative aux produits que vous avez récemment achetés dans la Bibliothèque de documents.

Consulter la Bibliothèque de documents

Les clients ont également consulté

Synchrotron radiation stimulated etching of SiO2 thin films with a co contact mask for the area-selective deposition of self-assembled monolayer
Wang C and Urisu T
Japanese Journal of Applied Physics, 42(6S), 4016-4016 (2003)

Notre équipe de scientifiques dispose d'une expérience dans tous les secteurs de la recherche, notamment en sciences de la vie, science des matériaux, synthèse chimique, chromatographie, analyse et dans de nombreux autres domaines..

Contacter notre Service technique