774030
Zirkonium(IV)-oxid
sputtering target, diam. × thickness 2.00 in. × 0.25 in., 99.95% trace metals basis (excludes 2% HfO2)
Synonym(e):
Zirkoniumdioxid
About This Item
Assay
99.95% trace metals basis (excludes 2% HfO2)
Form
powder
Eignung der Reaktion
core: zirconium
Durchm. × Dicke
2.00 in. × 0.25 in.
bp
5000 °C (lit.)
mp (Schmelzpunkt)
2700 °C (lit.)
Dichte
5.89 g/mL at 25 °C (lit.)
SMILES String
O=[Zr]=O
InChI
1S/2O.Zr
InChIKey
MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N
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Anwendung
Zirconium oxide sputtering target can be used for physical vapor deposition of zirconia thin films for IT-SOFC, thermal barrier coatings, lead zirconium titanate (PZT) films for sensor applications and other zirconium containing films for different applications.
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