Deposición química de vapor
La deposición química de vapor (CVD) es un método para depositar epitaxialmente películas de materiales sólidos en la superficie de un sustrato durante la fase de vapor de una reacción química controlada. La CVD, también llamada deposición de película fina, se utiliza predominantemente para aplicaciones electrónicas, optoelectrónicas, catalíticas y energéticas, como los semiconductores, la preparación de obleas de silicio y células solares imprimibles.
La técnica de CVD es un método versátil y rápido para sustentar el crecimiento de la película, permitiendo la generación de revestimientos puros con grosor uniforme y porosidad controlada, incluso en superficies complicadas o contorneadas. Además, es posible la CVD selectiva y de gran área en sustratos estampados. La CVD proporciona un método de crecimiento escalable, controlable y rentable para la síntesis ascendente de materiales bidimensionales (2D) o de películas delgadas como metales (por ejemplo, silicio, volframio), carbono (por ejemplo, grafeno, diamante), arseniuros, carburos, nitruros, óxidos y dicalcogenuros de metales de transición (TMDC). Para sintetizar películas finas bien ordenadas, se requieren precursores metálicos de gran pureza (organometálicos, haluros, alquilos, alcóxidos y cetonatos).
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