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形狀
dispersion
濃度
2.5 wt. % (crystalline Al doped ZnO (3.15 mol% Al) in 2-propanol)
工作函數
-4.1--4.5 eV
粒徑
8-16 nm
黏度
1.9-3.1 cP
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應用
準備報告
- 存储: 在室温下避光保存。
- 在使用前：摇晃、用音速喇叭超声并（可选）通过0.45μm PTFE 滤器进行过滤。
- 处理后：在 80°C-120°C下对沉积的掺铝ZnO薄膜进行退火。
法律資訊
訊號詞
Danger
危險分類
Aquatic Chronic 2 - Eye Irrit. 2 - Flam. Liq. 2 - STOT SE 3
標靶器官
Central nervous system
儲存類別代碼
3 - Flammable liquids
水污染物質分類（WGK）
WGK 2
閃點（°F）
53.6 °F
閃點（°C）
12 °C
文章
Professor Tokito and Professor Takeda share their new materials, device architecture design principles, and performance optimization protocols for printed and solution-processed, low-cost, highly flexible, organic electronic devices.
Recent progress in the area of solution-processed functional materials has led to the development of a variety of thin-film optoelectronic devices with significant promise in the industrial and consumer electronics fields.
我們的科學家團隊在所有研究領域都有豐富的經驗，包括生命科學、材料科學、化學合成、色譜、分析等.
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