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乙酰丙酮镓(III)

99.99% trace metals basis

• 同義詞: 2,4-戊二酮酸镓(III), Ga(acac)₃
• 線性公式: [CH₃COCH=C(O-)CH₃]₃Ga
• CAS號碼: 14405-43-7
• 分子量：: 367.05
• EC號碼: 238-377-0
• MDL號碼: MFCD00013492
• 分類程式碼代碼: 12352103
• PubChem物質ID: 24864524
• NACRES: NA.23

屬性

• 化驗: 99.99% trace metals basis
• 形狀: solid
• 反應適用性: core: gallium; reagent type: catalyst
• mp: 196-198 °C (dec.) (lit.)
• SMILES 字串: CC(=O)\C=C(\C)O[Ga](O\C(C)=C/C(C)=O)O\C(C)=C/C(C)=O
• InChI: 1S/3C5H8O2.Ga/c3*1-4(6)3-5(2)7;/h3*3,6H,1-2H3;/q;;;+3/p-3/b3*4-3-;
• InChI 密鑰: ZVYYAYJIGYODSD-LNTINUHCSA-K

描述

一般說明

乙酰丙酮镓(III)可作为溶胶-凝胶前驱体合成高纯度GaN纳米线、纳米针和氧化镓薄膜，用于电池、燃料电池和太阳能电池应用。

應用

乙酰丙酮镓(III)可用于

• 作为前驱体经由溶剂热法合成纳米晶体氧化镓尖晶石，用于光催化、电池正极材料和电催化等多种应用。
• 原位电还原制造Li金属负极上的LiGa合金层。它抑制锂硫电池负极枝晶形成。
• 热溶剂合成法(hot-solvent synthesis)制备高效的镓-铂(GaPt₃)纳米粒，用作析氢反应的电催化剂。
• 合成γ-Ga₂O₃纳米晶体，用于制造钙钛矿太阳能电池的电子传输层。它与钙钛矿顶层形成有效的界面连接，提高电荷传输效率。

安全資訊

• 象形圖: GHS08,GHS07
• 訊號詞: Warning
• 危險聲明: H302 + H312 + H332,H315,H319,H335,H351
• 防範說明: P280 - P301 + P312 - P302 + P352 + P312 - P304 + P340 + P312 - P305 + P351 + P338 - P308 + P313
• 危險分類: Acute Tox. 4 Dermal - Acute Tox. 4 Inhalation - Acute Tox. 4 Oral - Carc. 2 - Eye Irrit. 2 - Skin Irrit. 2 - STOT SE 3
• 標靶器官: Respiratory system
• 儲存類別代碼: 11 - Combustible Solids
• 水污染物質分類（WGK）: WGK 3
• 閃點（°F）: Not applicable
• 閃點（°C）: Not applicable
• 個人防護裝備: dust mask type N95 (US), Eyeshields, Gloves