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品質等級
形狀
dispersion
濃度
2.5 wt. % (crystalline Al doped ZnO (3.15 mol% Al) in mixture of alcohols)
工作函數
-3.7--4.1 eV
粒徑
8-16 nm
黏度
1.7-2.7 cP
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應用
準備報告
- 存储: 在室温下避光保存。
- 在使用前:在使用前:摇晃、超声并(可选)通过0.45μm PTFE 滤器进行过滤。
- 后处理:后处理:在 80°C-120°C下对沉积的掺铝ZnO薄膜进行退火。
法律資訊
訊號詞
Danger
危險分類
Aquatic Chronic 2 - Eye Irrit. 2 - Flam. Liq. 2 - STOT SE 3
標靶器官
Central nervous system
儲存類別代碼
3 - Flammable liquids
水污染物質分類(WGK)
WGK 2
閃點(°F)
60.8 °F
閃點(°C)
16 °C
商品
Professor Tokito and Professor Takeda share their new materials, device architecture design principles, and performance optimization protocols for printed and solution-processed, low-cost, highly flexible, organic electronic devices.
Recent progress in the area of solution-processed functional materials has led to the development of a variety of thin-film optoelectronic devices with significant promise in the industrial and consumer electronics fields.
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