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405191

Sigma-Aldrich

2,5-噻吩二羧酸

99%

别名:

2,5-二羧基噻吩, 噻吩-2,5-二羧酸

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About This Item

经验公式（希尔记法）:
C6H4O4S
CAS号:
4282-31-9
分子量:
172.16
EC號碼:
224-284-2
MDL號碼:
MFCD00016896
分類程式碼代碼:
12352100
PubChem物質ID:
24865298
NACRES:
NA.22

化驗

99%

mp

>300 °C (lit.)

SMILES 字串

OC(=O)c1ccc(s1)C(O)=O

InChI

1S/C6H4O4S/c7-5(8)3-1-2-4(11-3)6(9)10/h1-2H,(H,7,8)(H,9,10)

InChI 密鑰

YCGAZNXXGKTASZ-UHFFFAOYSA-N

相关类别

一般說明

2，5-噻吩二甲酸 (2，5-TDCA，H 2 TDC) 是制备荧光增白剂、杀菌剂和抗癌药物的重要原料。己二酸用氯化亚砜氯化生成。由于其配位方式的多样性，它作为芳香连接物是生成配位网络的极佳选择。用旋转弹燃烧量热法计算了 2，5-噻吩二甲酸的燃烧焓和升华焓。

應用

2，5-噻吩二甲酸可作为噻吩基连接基团用于镁配位网络的制备。也可作为合成 2，5-二苯并恶唑噻吩 (EBF) 的前体。
可用于以下合成：
  • 新型噻吩二甲酸钴配位聚合物
  • 新型介晶噻吩类超分子液晶
  • 两种新型配位聚合物，分子式为 {[Ln2(2,5-tdc)3(dmso)2]H2O}n (Ln = Tb(III) and Dy(III)), (2,5-tdc2 = 2,5-噻吩二甲酸酯和 dmso = 二甲亚砜）

象形圖

Exclamation mark
GHS07

訊號詞

Warning

危險聲明

H315,H319,H335

危險分類

Eye Irrit. 2 - Skin Irrit. 2 - STOT SE 3

標靶器官

Respiratory system

儲存類別代碼

11 - Combustible Solids

水污染物質分類（WGK）

WGK 3

個人防護裝備

dust mask type N95 (US), Eyeshields, Gloves

分析证书(COA)

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Preliminary communication Properties of nonlinear supramolecular liquid crystals containing thiophenedicarboxylic acids.
Lin H-C, et al.
Liq. Cryst., 25(2), 277-283 (1998)
Terbium (III) and dysprosium (III) 8-connected 3D networks containing 2, 5-thiophenedicarboxylate anion: Crystal structures and photoluminescence studies.
Marques LF, et al.
Polyhedron, 38(1), 149-156 (2012)
María Victoria Roux et al.
The journal of physical chemistry. A, 110(45), 12477-12483 (2006-11-10)
The enthalpies of combustion and sublimation of 2,5-thiophenedicarboxylic acid [CASRN 4282-31-9] were measured by rotary-bomb combustion calorimetry and the method of transference in a saturated stream of nitrogen, and the gas-phase enthalpy of formation was determined, Delta(f)H(o)(m)(g) = -(632.6 +/-
Solid-liquid equilibrium and thermodynamic of 2, 5-thiophenedicarboxylic acid in different organic solvents.
Zhi W, et al.
Fluid Phase Equilibria, 375, 110-114 (2014)
Devthade Vidyasagar et al.
Scientific reports, 9(1), 7186-7186 (2019-05-12)
An n-p type homostructural metal-free graphitic carbon nitride (g-C3N4) semiconductor is designed and developed for pollutant abatement and energy storage application. The successful grafting of vibrio-like morphology-based g-C3N4 by 2, 5-Thiophenedicarboxylic acid (TDA) molecule and the development of amide-type linkage
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