Passa al contenuto
Merck
Tutte le immagini(3)

Documenti

357391

Sigma-Aldrich

Silicon carbide

−400 mesh particle size, ≥97.5%

Sinonimo/i:

Carbon silicide, Carborundum, Methanidylidynesilanylium, Silicon monocarbide

Autenticatiper visualizzare i prezzi riservati alla tua organizzazione & contrattuali
Tutte le immagini(3)

About This Item

Formula condensata:
SiC
Numero CAS:
409-21-2
Peso molecolare:
40.10
Numero CE:
206-991-8
Numero MDL:
MFCD00049531
Codice UNSPSC:
12352300
ID PubChem:
24861911
NACRES:
NA.23

Descrizione

hexagonal phase

Saggio

≥97.5%

Forma fisica

powder

Dimensione particelle

−400 mesh

Punto di fusione

2700 °C (lit.)

Densità

3.22 g/mL at 25 °C (lit.)

Stringa SMILE

[C-]#[Si+]

InChI

1S/CSi/c1-2
HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N

Cerchi prodotti simili? Visita Guida al confronto tra prodotti

Descrizione generale

Silicon carbide (SiC) is a semiconducting material with closed packed stacking of double layers of silicon and carbon. It has excellent thermo-mechanical and electrical properties that make it useful in a variety of electronic and optoelectronic applications.

Applicazioni

SiC is majorly used as a base material for applications such as micro-structures, opto-electronic devices (light emitting diodes (LEDs), UV detectors), high temperature electronics (nuclear electronics), and high frequency devices.

Codice della classe di stoccaggio

11 - Combustible Solids

Classe di pericolosità dell'acqua (WGK)

nwg

Punto d’infiammabilità (°F)

Not applicable

Punto d’infiammabilità (°C)

Not applicable

Dispositivi di protezione individuale

dust mask type N95 (US), Eyeshields, Gloves

Certificati d'analisi (COA)

Cerca il Certificati d'analisi (COA) digitando il numero di lotto/batch corrispondente. I numeri di lotto o di batch sono stampati sull'etichetta dei prodotti dopo la parola ‘Lotto’ o ‘Batch’.

Possiedi già questo prodotto?

I documenti relativi ai prodotti acquistati recentemente sono disponibili nell’Archivio dei documenti.

Visita l’Archivio dei documenti

Emanuele Rizzuto et al.
Sensors (Basel, Switzerland), 19(23) (2019-11-27)
In this paper, the characterization of the main techniques and transducers employed to measure local and global strains induced by uniaxial loading of murine tibiae is presented. Micro strain gauges and digital image correlation (DIC) were tested to measure local
Fundamentals of silicon carbide technology: growth, characterization, devices and applications
Fundamentals of silicon carbide technology: growth, characterization, devices and applications (2014)
Properties of silicon carbide (1995)
Optical polarization of nuclear spins in silicon carbide
Falk AL, et al.
Physical Review Letters, 114(24), 247603-247603 (2015)
4H-SiC UV photo detectors with large area and very high specific detectivity
Yan F, et al.
IEEE J. Quant. Elect., 40(9), 1315-1320 (2004)
Visualizza tutti i documenti correlati

Articoli

Advanced Inorganic Materials for Solid State Lighting

Advanced Inorganic Materials for Solid State Lighting

Il team dei nostri ricercatori vanta grande esperienza in tutte le aree della ricerca quali Life Science, scienza dei materiali, sintesi chimica, cromatografia, discipline analitiche, ecc..

Contatta l'Assistenza Tecnica.