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Sigma-Aldrich

Buffered oxide etchant (BOE) 6:1

Synonyme(s) :

BHF, Buffered HF

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About This Item

Code UNSPSC :
12161700
Nomenclature NACRES :
NA.23

Forme

liquid

Niveau de qualité

100

Description générale

BOE 6:1 is 6 parts by volume 40% ammonium fluoride and 1 part by volume 49% HF.
Buffered oxide etchant (BOE) is a wet etchant used in microfabrication. Its primary use is in etching thin films of silicon dioxide (SiO2) or silicon nitride (Si3N4). It is a mixture of a buffering agent, such as ammonium fluoride (NH4F), and hydrofluoric acid (HF). Concentrated HF etches silicon dioxide too quickly for good process control and also peels photoresist used in lithographic patterning.

Application

Buffered oxide etchant (BOE) 6:1 can be used in the oxide removal of AlGaN/GaN-based high electron mobility transistors for gate photolithography. It can be used in a buffer oxide etchant method for the fabrication of micro biochip.

Pictogrammes

Skull and crossbonesCorrosion
GHS06,GHS05

Mention d'avertissement

Danger

Mentions de danger

H300 + H310,H314,H331

Classification des risques

Acute Tox. 1 Dermal - Acute Tox. 2 Oral - Acute Tox. 3 Inhalation - Eye Dam. 1 - Skin Corr. 1A

Code de la classe de stockage

6.1B - Non-combustible acute toxic Cat. 1 and 2 / very toxic hazardous materials

Classe de danger pour l'eau (WGK)

WGK 2

Point d'éclair (°F)

Not applicable

Point d'éclair (°C)

Not applicable

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Certificats d'analyse (COA)

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MKCQ4650
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Effect of passivation on AlGaN/GaN HEMT device performance
2000 IEEE international symposium on compound semiconductors, 357-363 (2000)
Fabrication of a new micro bio chip and flow cell cytometry system using Bio-MEMS technology
Byun I, et al.
Microelectronics Journal, 39(5), 717-722 (2008)
Surface cleaning and preparation in AlGaN/GaN-based HEMT processing as assessed by X-ray photoelectron spectroscopy
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