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Sigma-Aldrich

1,3-Divinyltetramethyldisiloxane

97%

Synonyme(s) :

1,1,3,3-Tetramethyl-1,3-divinyldisiloxane

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About This Item

Formule linéaire :
[H2C=CHSi(CH3)2]2O
Numéro CAS:
Poids moléculaire :
186.40
Numéro Beilstein :
1762585
Numéro CE :
Numéro MDL:
Code UNSPSC :
12162002
ID de substance PubChem :
Nomenclature NACRES :
NA.23

Pureté

97%

Forme

liquid

Indice de réfraction

n20/D 1.411 (lit.)

Point d'ébullition

139 °C (lit.)

Pf

−99 °C (lit.)

Densité

0.809 g/mL at 25 °C (lit.)

Chaîne SMILES 

C[Si](C)(O[Si](C)(C)C=C)C=C

InChI

1S/C8H18OSi2/c1-7-10(3,4)9-11(5,6)8-2/h7-8H,1-2H2,3-6H3

Clé InChI

BITPLIXHRASDQB-UHFFFAOYSA-N

Application


  • Synthesis and Studies on the Effect of Phenyl Side–Chain Content on Refractive Index of Polysiloxane Resin: This study used 1,3-divinyltetramethyldisiloxane as a terminating agent to modify polysiloxane resin properties (Ramli et al., 2015).

  • Undecenoic Acid-Based Polydimethylsiloxanes Obtained by Hydrosilylation and Hydrothiolation Reactions: This paper explored the use of 1,3-divinyltetramethyldisiloxane as a blocking agent in the synthesis of polydimethylsiloxanes (Milenin et al., 2020).

  • Efficient Improvement in Electrochemical Properties of High-Voltage Li-rich Mn-Based Layered Oxide Cathode by Addition of 1,3-divinyltetramethyldisiloxane: The additive 1,3-divinyltetramethyldisiloxane was used to enhance electrochemical properties of Li-rich layered oxide cathode (Huang et al., 2023).

Pictogrammes

Flame

Mention d'avertissement

Danger

Mentions de danger

Classification des risques

Flam. Liq. 2

Code de la classe de stockage

3 - Flammable liquids

Classe de danger pour l'eau (WGK)

WGK 3

Point d'éclair (°F)

71.1 °F - closed cup

Point d'éclair (°C)

21.7 °C - closed cup

Équipement de protection individuelle

Eyeshields, Faceshields, Gloves, type ABEK (EN14387) respirator filter


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Seungmin Shin et al.
Nanotechnology, 27(47), 475301-475301 (2016-10-27)
Novel polyhedral oligomeric silsesquioxane (POSS) resists, which are based on a new photo-crosslinking system via Wolff rearrangement, are developed as ideal replica mold materials for ultraviolet-nanoimprint lithography. These POSS resist materials are synthesized by incorporating diazoketo and hydroxyl groups into
B Sivaranjini et al.
Scientific reports, 8(1), 8891-8891 (2018-06-13)
A simple and effective approach for vertical alignment of liquid crystals (LCs) over a functionalized transparent flexible substrate is described. Surface characterization of this commercially available plastic substrate through X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and attenuated total reflection infrared spectroscopy (ATR-IR)

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