Accéder au contenu
Merck
Toutes les photos(1)

Key Documents

205184

Sigma-Aldrich

Hexachlorodisilane

96%

Synonyme(s) :

1,1,1,2,2,2-Hexachlorodisilane, Disilicon hexachloride, HCDS

Se connecterpour consulter vos tarifs contractuels et ceux de votre entreprise/organisme


About This Item

Formule linéaire :
(SiCl3)2
Numéro CAS:
Poids moléculaire :
268.89
Numéro CE :
Numéro MDL:
Code UNSPSC :
12352103
ID de substance PubChem :
Nomenclature NACRES :
NA.23

Pureté

96%

Forme

liquid

Indice de réfraction

n20/D 1.475 (lit.)

Point d'ébullition

144-145.5 °C (lit.)

Densité

1.562 g/mL at 25 °C (lit.)

Chaîne SMILES 

Cl[Si](Cl)(Cl)[Si](Cl)(Cl)Cl

InChI

1S/Cl6Si2/c1-7(2,3)8(4,5)6

Clé InChI

LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N

Vous recherchez des produits similaires ? Visite Guide de comparaison des produits

Description générale

Hexachlorodisilane (HCDS) is a chlorosilane used as a precursor for producing disilanes. It is a dioxidizer that is used in the production of silicon films and silicon nitride based films.

Application

HCDS can be used in the fabrication of silica aerogels by chemical vapor deposition (CVD), which can be potentially used as encapsulating agents and thermal insulators. It can also be used to synthesize 1,1,1,2,2,2-hexaamino-disilanes using CVD, which forms silicon-based films for microelectronic-based applications.
HCDS may be used as a reducing agent. It may be combined with ammonia to form silicon nitride by chemical vapor deposition(CVD) technique.

À utiliser avec

Pictogrammes

Corrosion

Mention d'avertissement

Danger

Mentions de danger

Classification des risques

Skin Corr. 1B

Risques supp

Code de la classe de stockage

8A - Combustible corrosive hazardous materials

Classe de danger pour l'eau (WGK)

WGK 3

Point d'éclair (°F)

Not applicable

Point d'éclair (°C)

Not applicable

Équipement de protection individuelle

Faceshields, Gloves, Goggles, type ABEK (EN14387) respirator filter


Faites votre choix parmi les versions les plus récentes :

Certificats d'analyse (COA)

Lot/Batch Number

Vous ne trouvez pas la bonne version ?

Si vous avez besoin d'une version particulière, vous pouvez rechercher un certificat spécifique par le numéro de lot.

Déjà en possession de ce produit ?

Retrouvez la documentation relative aux produits que vous avez récemment achetés dans la Bibliothèque de documents.

Consulter la Bibliothèque de documents

Film Properties of Low?k Silicon Nitride Films Formed by Hexachlorodisilane and Ammonia.
Tanaka M , et al.
Journal of the Electrochemical Society, 147(6), 2284-2289 (2000)
Enhancing mechanical properties of silica aerogels
Obrey, K. A., Wilson, K. V., & Loy, D. A.
Journal of Non-Crystalline Solids, 375(19), 3435-3441 (2011)
Z Yu et al.
Journal of chromatography. A, 903(1-2), 183-191 (2001-01-12)
Carbon isotopic compositions of aetio I occurring in the form of free-base, nickel, demetallation, dihydroxysilicon(IV) and bis(tert.-butyldimethylsiloxy)silicon(IV) [(tBDMSO)2Si(IV)] have shown that it has experienced no obvious isotope fractionation during the synthesis of [(tBDMSO)2Si(IV)] porphyrin from aetio I. Here, aetio I
The Raman Spectrum of Hexachlorodisilane
Katayama M, et al.
J. Chem. Phys., 18(4), 506-509 (1950)
Chemical vapor deposition of silicon films using hexachlorodisilane
Taylor, R. C., Scott, B. A., Lin, S. T., LeGoues, F., & Tsang, J. C.
MRS Proceedings, 77, 709-709 (1986)

Notre équipe de scientifiques dispose d'une expérience dans tous les secteurs de la recherche, notamment en sciences de la vie, science des matériaux, synthèse chimique, chromatographie, analyse et dans de nombreux autres domaines..

Contacter notre Service technique