920126
Graphene, monolayer film
4 in diameter, CVD on silicon wafer, large grain, avg. no. of layers, 1
Sinónimos:
Roll-to-Roll graphene
About This Item
Productos recomendados
product name
R2R Monolayer large grain CVD graphene on silicon wafer, 4 in diameter, avg. no. of layers, 1
Nivel de calidad
descripción
Growth method: roll-to-roll CVD
Wafer: SiO2 (300nm) Si
Number of layer: Monolayer
Raman intensity 2D/G: ≥1.5
Características
avg. no. of layers 1
resistencia de la lámina
280 Ω/sq ±10%
tamaño
110 μm × 110 μm ± 10% , grain size
cobertura de la superficie
surface coverage >98%
transmitancia
>97%
propiedades de los semiconductores
(mobility>3000 cm2/V·s) (Hall effect measurements)
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Descripción general
Aplicación
The roll-to-roll process allows continuous, large scale graphene production.
This large grain size graphene product on silicon wafer is ready to use, helps you minimize process time, and increase success rate. This product with low sheet resistance would enable unmatched reproducibility and allow high performance for CVD graphene based FET, CVD graphene based sensors, and heterostructure based micro/nano electronics.
Application examples:
- Ultrafast Transistor
- Optical devices
- Bio/Gas Sensor
- Transparent Electrode
- Flexible Display
- Smart Coating
- Thermal management
Precaución
Keep away from contamination, heat, dust and flame etc.
Almacenamiento y estabilidad
Información legal
Código de clase de almacenamiento
11 - Combustible Solids
Clase de riesgo para el agua (WGK)
WGK 3
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