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900734

Sigma-Aldrich

PbS core-type quantum dots

fluorescence λem 1000 nm, 10 mg/mL in toluene

Sinónimos:

Fluorescent nanocrystals, Lead sulfide, PbS QDs

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About This Item

Fórmula lineal:
PbS
Número de CAS:
1314-87-0
Número MDL:
MFCD00016280
Código UNSPSC:
12352302
NACRES:
NA.23

Formulario

liquid

Nivel de calidad

100

concentración

10 mg/mL in toluene

fluorescencia

λem 1000 nm

temp. de almacenamiento

2-8°C

cadena SMILES

[Pb].S

InChI

1S/Pb.H2S/h;1H2

Clave InChI

MIXDRAMRMDOQJH-UHFFFAOYSA-N

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Aplicación

The size for our lead sulfide (PbS) quantum dots (QDs) varies between 2.5 to 8 nm and depending upon this, these QDs emit between 900-1600 nm. Our PbS QDs possess high quantum yield, sharp emission and exhibit narrow fluorescence band (full width at half maximum <100 nm), which make them suitable as light absorber or IR emitter in applications in solar cells, photodetectors and infrared light emitting diodes (LEDs).

Palabra de señalización

Danger

Clasificaciones de peligro

Aquatic Chronic 2 - Asp. Tox. 1 - Flam. Liq. 2 - Repr. 1A - Skin Irrit. 2 - STOT RE 2 - STOT RE 2 Inhalation - STOT SE 3

Órganos de actuación

Central nervous system

Código de clase de almacenamiento

3 - Flammable liquids

Clase de riesgo para el agua (WGK)

WGK 3

Punto de inflamabilidad (°F)

46.4 °F - closed cup

Punto de inflamabilidad (°C)

8 °C - closed cup

Listados normativos

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Gerasimos Konstantatos et al.
Nature nanotechnology, 5(6), 391-400 (2010-05-18)
The detection of photons underpins imaging, spectroscopy, fibre-optic communications and time-gated distance measurements. Nanostructured materials are attractive for detection applications because they can be integrated with conventional silicon electronics and flexible, large-area substrates, and can be processed from the solution
Xinzheng Lan et al.
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.), 28(2), 299-304 (2015-11-19)
A solution-based passivation scheme is developed featuring the use of molecular iodine and PbS colloidal quantum dots (CQDs). The improved passivation translates into a longer carrier diffusion length in the solid film. This allows thicker solar-cell devices to be built
Highly efficient quantum dot near-infrared light-emitting diodes.
Gong X, et al.
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