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767514

Sigma-Aldrich

Tantalum

sputtering target, diam. × thickness 2.00 in. × 0.25 in., 99.95% trace metals basis

Sinónimos:

Ta

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About This Item

Fórmula empírica (notación de Hill):
Ta
Número de CAS:
7440-25-7
Peso molecular:
180.95
Número CE:
231-135-5
Número MDL:
MFCD00011252
Código UNSPSC:
12352103
ID de la sustancia en PubChem:
329767321
NACRES:
NA.23

presión de vapor

<0.01 mmHg ( 537.2 °C)

Análisis

99.95% trace metals basis

formulario

foil

temp. de autoignición

572 °F

idoneidad de la reacción

core: tantalum

resistividad

13.5 μΩ-cm, 20°C

diám. × grosor

2.00 in. × 0.25 in.

bp

5425 °C (lit.)

mp

2996 °C (lit.)

densidad

16.69 g/cm3 (lit.)

cadena SMILES

[Ta]

InChI

1S/Ta

Clave InChI

GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N

Aplicación

Sputtering is a process whereby atoms are ejected from a solid target material due to bombardment of the target by energetic particles. The extreme miniaturization of components in the semiconductor and electronics industry requires high purity sputtering targets for thin film deposition.

Código de clase de almacenamiento

11 - Combustible Solids

Clase de riesgo para el agua (WGK)

nwg

Punto de inflamabilidad (°F)

Not applicable

Punto de inflamabilidad (°C)

Not applicable

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Kostantinidis; S.;
The European Physical Journal - Applied Physics, 56(2), 24002/1-24002/1 (2011)
Helmersson; U.;
Thin Solid Films, 513(1-2), 1-1 (2006)
Robert Cohen
American journal of orthopedics (Belle Mead, N.J.), 31(4), 216-217 (2002-05-15)
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