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Sigma-Aldrich

3,4-Dihexylthiophene

97%

Sinónimos:

3,4-Bis-n-hexyl thiophene

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About This Item

Fórmula empírica (notación de Hill):
C16H28S
Número de CAS:
122107-04-4
Peso molecular:
252.46
Número MDL:
MFCD21363048
Código UNSPSC:
12352103
ID de la sustancia en PubChem:
329766246
NACRES:
NA.23

Nivel de calidad

100

Ensayo

97%

Formulario

liquid

índice de refracción

n20/D 1.494

densidad

0.925 g/mL at 25 °C

cadena SMILES

CCCCCCc1cscc1CCCCCC

InChI

1S/C16H28S/c1-3-5-7-9-11-15-13-17-14-16(15)12-10-8-6-4-2/h13-14H,3-12H2,1-2H3

Clave InChI

YIRIIAIZQBBXHL-UHFFFAOYSA-N

Categorías relacionadas

Aplicación

This material is used in the synthesis of donor-acceptor copolymers and low-band gap polymers for use in Organic Photovoltaic Applications. It also has shown to enhance the thermal stability of polythiophene: fullerene solar cells.

Código de clase de almacenamiento

10 - Combustible liquids

Clase de riesgo para el agua (WGK)

WGK 3

Punto de inflamabilidad (°F)

Not applicable

Punto de inflamabilidad (°C)

Not applicable

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MKCN8925
MKBP4130V
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Li, Y.; Xue, L.; Li, H.; Li, Z.; Xu, B.; Wen, S.; Tian, W.
Macromolecules, 42, 4491-4491 (2009)
Banishoeib, F.; Henckens, A.; Fourier, S.; Vanhooyland, G.; Breselge, M.
Thin Solid Films, 516, 3978-3978 (2008)
Kevin Sivula et al.
Journal of the American Chemical Society, 128(43), 13988-13989 (2006-10-26)
Regioregularity has been shown to be an important aspect for the properties of poly(3-hexylthiophene) both in the pristine material and in bulk heterojunction photovoltaics with the fullerene derivative PCBM. Here we present a straightforward method to adjust the effective regioregularity

Artículos

Development of organic semiconductors from highly ordered oligo and polythiophenes

The soaring global demand for energy, coupled with the limited supply of fossil fuels, has increased the need for renewable, low-cost energy sources. Organic electronics have shown great promise for applications in lighting, power, and circuitry, with rapidly improving performance already surpassing that of amorphous silicon-based counterparts.

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