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Merck

593044

Sigma-Aldrich

Aluminum nitride

nanopowder, <100 nm particle size

Sinónimos:

Aluminium nitride

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About This Item

Fórmula lineal:
AlN
Número de CAS:
Peso molecular:
40.99
Número CE:
Número MDL:
Código UNSPSC:
12352302
ID de la sustancia en PubChem:
NACRES:
NA.23

formulario

nanopowder

tamaño de partícula

<100 nm

mp

>2200 °C (lit.)

densidad

3.26 g/mL at 25 °C (lit.)

cadena SMILES

N#[Al]

InChI

1S/Al.N

Clave InChI

PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N

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Descripción general

Aluminum nitride (AlN) is a wide bandgap semiconductor with exceptional thermal conductivity, high electrical insulation, and piezoelectric properties. It is widely used in electronics, such as in high-power and high-frequency devices, as well as in optoelectronics for UV light emitters. Additionally, AlN is utilized in biomedical devices due to its biocompatibility.

Aplicación

  • This review explores the significant properties of aluminum nitride in the context of semiconductor materials, discussing its large bandgap and wide transparency range, which are advantageous for ultraviolet to mid-infrared applications (Li et al., 2021).

Pictogramas

Health hazardEnvironment

Palabra de señalización

Danger

Frases de peligro

Clasificaciones de peligro

Aquatic Acute 1 - Aquatic Chronic 1 - STOT RE 1 Inhalation

Órganos de actuación

Lungs

Código de clase de almacenamiento

4.3 - Hazardous materials which set free flammable gases upon contact with water

Clase de riesgo para el agua (WGK)

WGK 3

Punto de inflamabilidad (°F)

Not applicable

Punto de inflamabilidad (°C)

Not applicable

Equipo de protección personal

dust mask type N95 (US), Eyeshields, Gloves


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Electrical and thermophysical properties of epoxy/aluminum nitride nanocomposites: Effects of nanoparticle surface modification
Peng W, et al.
Composites Part A: Applied Science and Manufacturing, 41(9), 1201-1209 (2010)
Shuangxi Nie et al.
Nanomaterials (Basel, Switzerland), 9(8) (2019-08-07)
Nanocomposites consisting of cellulose nanofibrils (CNFs) and nano-aluminum nitride (AlN) were prepared using a simple vacuum-assisted filtration process. Bleached sugarcane bagasse pulp was treated with potassium hydroxide and sodium chlorite, and was subsequently ultra-finely ground and homogenized to obtain CNFs.
Nanocrystalline aluminum nitride: II, sintering and properties.
Panchula ML and Ying JY
American Chemical Science Journal, 86(7), 1121-1127 (2003)
Morphologically selective synthesis of nanocrystalline aluminum nitride.
Haber JA, et al.
Chemistry of Materials, 10(12), 4062-4071 (1998)
Norio Iizuka et al.
Optics express, 17(25), 23247-23253 (2010-01-07)
Spot-size converters for an all-optical switch utilizing the intersubband transition in GaN/AlN multiple quantum wells are studied with the purpose of reducing operation power by improving the coupling efficiency between the input fiber and the switch. With a stair-like spot-size

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