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Silicon carbide

−400 mesh particle size, ≥97.5%

• Sinónimos: Carbon silicide, Carborundum, Methanidylidynesilanylium, Silicon monocarbide
• Fórmula lineal: SiC
• Número de CAS: 409-21-2
• Peso molecular: 40.10
• Número CE: 206-991-8
• Número MDL: MFCD00049531
• Código UNSPSC: 12352300
• ID de la sustancia en PubChem: 24861911
• NACRES: NA.23

Propiedades

• descripción: hexagonal phase
• Nivel de calidad: 100
• Análisis: ≥97.5%
• formulario: powder
• tamaño de partícula: −400 mesh
• mp: 2700 °C (lit.)
• densidad: 3.22 g/mL at 25 °C (lit.)
• cadena SMILES: [C-]#[Si+]
• InChI: 1S/CSi/c1-2
• Clave InChI: HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N

Descripción

Descripción general

Silicon carbide (SiC) is a semiconducting material with closed packed stacking of double layers of silicon and carbon. It has excellent thermo-mechanical and electrical properties that make it useful in a variety of electronic and optoelectronic applications.

Aplicación

SiC is majorly used as a base material for applications such as micro-structures, opto-electronic devices (light emitting diodes (LEDs), UV detectors), high temperature electronics (nuclear electronics), and high frequency devices.

Información de seguridad

• Código de clase de almacenamiento: 11 - Combustible Solids
• Clase de riesgo para el agua (WGK): nwg
• Punto de inflamabilidad (°F): Not applicable
• Punto de inflamabilidad (°C): Not applicable
• Equipo de protección personal: dust mask type N95 (US), Eyeshields, Gloves