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Merck

666610

Sigma-Aldrich

Tetrakis(dimethylamido)hafnium(IV)

packaged for use in deposition systems

Synonym(e):

TDMAH, Tetrakis-(dimethylamino)-hafnium(IV)

Anmeldenzur Ansicht organisationsspezifischer und vertraglich vereinbarter Preise


About This Item

Lineare Formel:
[(CH3)2N]4Hf
CAS-Nummer:
Molekulargewicht:
354.79
MDL-Nummer:
UNSPSC-Code:
12352103
PubChem Substanz-ID:
NACRES:
NA.23

Assay

≥99.99% (trace metals analysis)

Form

low-melting solid

Eignung der Reaktion

core: hafnium

mp (Schmelzpunkt)

26-29 °C (lit.)

Dichte

1.098 g/mL at 25 °C

SMILES String

CN(C)[Hf](N(C)C)(N(C)C)N(C)C

InChI

1S/4C2H6N.Hf/c4*1-3-2;/h4*1-2H3;/q4*-1;+4

InChIKey

ZYLGGWPMIDHSEZ-UHFFFAOYSA-N

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Allgemeine Beschreibung

Alkylamide von Hafnium stellen einen praktischen und wirksamen Vorläufer für die Ablagerung von Atomschichten für glatte und amorphe Hafniumoxid-Dünnfilme dar.

Anwendung

Verwendung als Vorläufer für die Atomschichtablagerung von Hafniumoxid-Nanolaminaten, die in Halbleiterprodukten als Ersatz für Siliziumoxid verwendet werden.

Piktogramme

FlameCorrosion

Signalwort

Danger

Gefahreneinstufungen

Flam. Sol. 1 - Skin Corr. 1B - Water-react 2

Zusätzliche Gefahrenhinweise

Lagerklassenschlüssel

4.3 - Hazardous materials which set free flammable gases upon contact with water

WGK

WGK 3

Flammpunkt (°F)

109.4 °F - closed cup

Flammpunkt (°C)

43 °C - closed cup

Persönliche Schutzausrüstung

Eyeshields, Faceshields, Gloves, type P3 (EN 143) respirator cartridges


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High Purity Metalorganic Precursors for CPV Device Fabrication
Rushworth S
Material Matters, 5(4) null
Surface morphology and crystallinity control in the atomic layer deposition (ALD) of hafnium and zirconium oxide thin films
Hausmann DM, Gordon RG
Journal of Crystal Growth, 249, 251-261 (2003)
Applied Physics Letters, 91, 193503-193503 (2007)
The Savannah ALD System - An Excellent Tool for Atomic Layer Deposition
Monsma D, Becker J
Material Matters, 1(3), 5-5 (2006)

Artikel

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