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920924

Sigma-Aldrich

Monolayer hexagonal Boron Nitride (hBN) on Si/SiO2 wafer

diam. 200 mm (8 in.)

Synonyme(s) :

Boronitrene, Hexagonal boron nitride monolayer, Single-layer hexagonal boron nitride, White graphene

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About This Item

Formule empirique (notation de Hill):
BN
Numéro CAS:
10043-11-5
Poids moléculaire :
24.82
Numéro MDL:
MFCD00008279
Code UNSPSC :
12352302
Nomenclature NACRES :
NA.23

Description

Bandgap: 5.97 eV
Metal Impurities: 1.00e10 – 5.00e10 (at/cm2)
Monolayer h-BN
Orientation: <1-0-0>
Raman Peak: 1370 /cm-1
Substrate Type/Doping: P/B
hBN Coverage: 100% with sporadic adlayers

Niveau de qualité

100

Résistivité

5-30 Ω-cm

Diamètre

200 mm (8 in.)

Épaisseur

300 nm , Oxide
725 ± 25 μm , Wafer

Granulométrie

>4 μm

InChI

1S/BN/c1-2

Clé InChI

PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N

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Application

Monolayer hexagonal boron nitride (h-BN), also known as “white graphene”, is a wide-bandgap 2D crystal (~6 eV that can be tuned to ~2 eV) with exceptional strength , large oxidation resistance at high temperatures , and optical functionalities . Among its potential applications are:
  • Two-dimensional electronics
  • Nanophotonic and other optoelectronic devices
  • Quantum communication and information science
  • Aerospace industry
  • MEMS and NEMS
  • Micro-/nano- actuators
  • nsulating/transparent coatings

Stockage et stabilité

To ensure the maximum shelf life of your hBN sample, it is best stored under vacuum or in inert atmosphere (Argon or Nitrogen) conditions once the vacuum sealed package has been opened.

Code de la classe de stockage

13 - Non Combustible Solids

Classe de danger pour l'eau (WGK)

WGK 3

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Chemical and Bandgap Engineering in Monolayer Hexagonal Boron Nitride
Ba K, et al.
Scientific Reports, 7 (2017)
From 2-D to 0-D Boron Nitride Materials, The Next Challenge
Stagi L, et al.
Materials, 12(23) (2019)
Piezoelectricity in Monolayer Hexagonal Boron Nitride
Ares P, et al.
Advanced Materials, 32 (2020)

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