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Aluminum Etchant Type F
Synonyme(s) :
Aluminum etching solution for Al and Al-Si metallization
About This Item
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Forme
liquid
Description générale
The Aluminum Etchant Type F is highly compatible with many of commercial photoresists and permit delineation into high resolution patterns. Metal line width of 1 mil and separations less than 5 microns are feasible. The high resolution is practical with the Aluminum Etchant Type F because lifting of photoresist patterns does not occur and undercutting is minimized.
Application
- Aluminum Etchant Type F should not be used or stored in glass or Pyrex containers.
- Aluminum metallizations up to 25,000 A are vacuum deposited on the silicon slice, coated with a photoresist, and UV exposed using an appropriate photographic mask. The resist is developed to protect the aluminum where interconnections are desired. Then the unprotected areas of the aluminum are removed by etching with the Aluminum Etchant Type F, followed by a water rinse.
- Etching time is dependent upon the etchant temperature and the aluminum film thickness. When etching thick aluminum films, a higher etch rate is required; thus a higher etchant temperature should be used. Likewise, for thinner aluminum films, slower etch rates are desired and a lower etchant temperature should be chosen.
- At a specific etchant temperature, the etching time is given by the following formula:
where Etch Rate at 25°C 30 Å/sec; at 40°C 80 Å/sec.
Mention d'avertissement
Danger
Mentions de danger
Classification des risques
Acute Tox. 4 Oral - Eye Dam. 1 - Met. Corr. 1 - Skin Corr. 1B
Risques supp
Code de la classe de stockage
8A - Combustible corrosive hazardous materials
Classe de danger pour l'eau (WGK)
WGK 1
Point d'éclair (°F)
Not applicable
Point d'éclair (°C)
Not applicable
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