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Sigma-Aldrich

Tantalum

sputtering target, diam. × thickness 2.00 in. × 0.25 in., 99.95% trace metals basis

Synonyme(s) :

Ta

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About This Item

Formule empirique (notation de Hill):
Ta
Numéro CAS:
7440-25-7
Poids moléculaire :
180.95
Numéro CE :
231-135-5
Numéro MDL:
MFCD00011252
Code UNSPSC :
12352103
ID de substance PubChem :
329767321
Nomenclature NACRES :
NA.23

Pression de vapeur

<0.01 mmHg ( 537.2 °C)

Pureté

99.95% trace metals basis

Forme

foil

Température d'inflammation spontanée

572 °F

Pertinence de la réaction

core: tantalum

Résistivité

13.5 μΩ-cm, 20°C

Diam. × épaisseur

2.00 in. × 0.25 in.

Point d'ébullition

5425 °C (lit.)

Pf

2996 °C (lit.)

Densité

16.69 g/cm3 (lit.)

Chaîne SMILES 

[Ta]

InChI

1S/Ta

Clé InChI

GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N

Application

Sputtering is a process whereby atoms are ejected from a solid target material due to bombardment of the target by energetic particles. The extreme miniaturization of components in the semiconductor and electronics industry requires high purity sputtering targets for thin film deposition.

Code de la classe de stockage

11 - Combustible Solids

Classe de danger pour l'eau (WGK)

nwg

Point d'éclair (°F)

Not applicable

Point d'éclair (°C)

Not applicable

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Kostantinidis; S.;
The European Physical Journal - Applied Physics, 56(2), 24002/1-24002/1 (2011)
Helmersson; U.;
Thin Solid Films, 513(1-2), 1-1 (2006)
Robert Cohen
American journal of orthopedics (Belle Mead, N.J.), 31(4), 216-217 (2002-05-15)
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