Saltar al contenido
Merck
Todas las fotos(1)

Key Documents

View All Documentation

87921

Sigma-Aldrich

Tetramethylsilane

≥99.0% (GC)

Sinónimos:

TMS

Iniciar sesiónpara Ver la Fijación de precios por contrato y de la organización
Todas las fotos(1)

About This Item

Fórmula lineal:
Si(CH3)4
Número de CAS:
75-76-3
Peso molecular:
88.22
Beilstein/REAXYS Number:
1696908
EC Number:
200-899-1
MDL number:
MFCD00008274
UNSPSC Code:
12352103
PubChem Substance ID:
57653278
NACRES:
NA.22

vapor pressure

11.66 psi ( 20 °C)

Quality Level

100

assay

≥99.0% (GC)

form

liquid

autoignition temp.

842 °F

refractive index

n20/D 1.358 (lit.)
n20/D 1.359

bp

26-28 °C (lit.)

mp

−99 °C (lit.)

density

0.648 g/mL at 25 °C (lit.)

storage temp.

2-8°C

SMILES string

C[Si](C)(C)C

InChI

1S/C4H12Si/c1-5(2,3)4/h1-4H3

InChI key

CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N

¿Está buscando productos similares? Visita Guía de comparación de productos

Categorías relacionadas

Application

Tetramethylsilane can be used as a silicon precursor for the synthesis of silicon doped diamond-like carbon (DLC-Si) films and silicon carbide (SiC) bulk crystals. It can also be used as a hydrocarbon substrate to study intermolecular C-H activation chemistry.

pictograms

Flame
GHS02

signalword

Danger

hcodes

H224

pcodes

P210

Hazard Classifications

Flam. Liq. 1

Storage Class

3 - Flammable liquids

wgk_germany

WGK 3

flash_point_f

-16.6 °F - closed cup

flash_point_c

-27 °C - closed cup

ppe

Eyeshields, Faceshields, Gloves

Elija entre una de las versiones más recientes:

Certificados de análisis (COA)

Lot/Batch Number
STBL0794
STBK8589
STBK5054
STBK3531
STBK1247

¿No ve la versión correcta?

Si necesita una versión concreta, puede buscar un certificado específico por el número de lote.

Busque por un COA

¿Ya tiene este producto?

Encuentre la documentación para los productos que ha comprado recientemente en la Biblioteca de documentos.

Visite la Librería de documentos

Intermolecular C- H Activation of Hydrocarbons by Tungsten Alkylidene Complexes: An Experimental and Computational Mechanistic Study.
Adams CS, et al.
Organometallics, 20(23), 4939-4955 (2001)
The mechanical and biocompatibility properties of DLC-Si films prepared by pulsed DC plasma activated chemical vapor deposition.
Bendavid A, et al.
Diamond and Related Materials, 16(8), 1616-1622 (2007)
High-temperature chemical vapor deposition for SiC single crystal bulk growth using tetramethylsilane as a precursor.
Nam DH, et al.
Crystal Growth & Design, 14(11), 5569-5574 (2014)
The effects of Si incorporation on the electrochemical and nanomechanical properties of DLC thin films.
Papakonstantinou P, et al.
Diamond and Related Materials, 11(3-6), 1074-1080 (2002)
Roy E Hoffman
Journal of magnetic resonance (San Diego, Calif. : 1997), 163(2), 325-331 (2003-08-14)
The chemical shift of TMS is commonly assumed to be zero. However, it varies by over 1 ppm for 1H and 4 ppm for 13C and shows a correlation with the physical properties of the solvent. Using the commonly accepted
Ver todos los artículos relacionados

Nuestro equipo de científicos tiene experiencia en todas las áreas de investigación: Ciencias de la vida, Ciencia de los materiales, Síntesis química, Cromatografía, Analítica y muchas otras.

Póngase en contacto con el Servicio técnico