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Merck

334073

Sigma-Aldrich

氯化铟 四水合物

97%

别名:

Indium trichloride tetrahydrate, Trichloroindigane tetrahydrate

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About This Item

线性分子式:
InCl3 · 4H2O
CAS号:
分子量:
293.24
EC號碼:
MDL號碼:
分類程式碼代碼:
12352302
PubChem物質ID:
NACRES:
NA.23

化驗

97%

形狀

solid

反應適用性

reagent type: catalyst
core: indium

SMILES 字串

O.O.O.O.Cl[In](Cl)Cl

InChI

1S/3ClH.In.4H2O/h3*1H;;4*1H2/q;;;+3;;;;/p-3

InChI 密鑰

UKCIUOYPDVLQFW-UHFFFAOYSA-K

一般說明

氯化铟(Ⅲ)四水合物是一种路易斯酸,常用作各种有机转化反应(如Friedel-Crafts酰化和羟醛缩合)的催化剂。它也被用作制备太阳能电池中铟薄膜的前体。

應用

氯化铟(Ⅲ)四水合物可用于:
  • 作为催化剂通过double Mannich反应进行高取代度 4-哌啶酮的立体选择性合成。
  • 制造可用作反向有机光伏电池(inverted organic photovoltaic cell)缓冲层的In2S3薄膜 。
  • 作为前体用于制备具有光催化活性的ZnO/CuInS2 纳米复合材料 。
  • 制备用于各种应用(如气体传感器、太阳能电池和导电油墨)的氧化铟锡(ITO)薄膜 。

象形圖

Corrosion

訊號詞

Danger

危險聲明

危險分類

Skin Corr. 1B

儲存類別代碼

8A - Combustible corrosive hazardous materials

水污染物質分類(WGK)

WGK 3

閃點(°F)

Not applicable

閃點(°C)

Not applicable

個人防護裝備

Eyeshields, Faceshields, Gloves, type P3 (EN 143) respirator cartridges


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Chi H Nguyen et al.
International journal of toxicology, 39(3), 218-231 (2020-04-02)
The semiconductor manufacturing sector plans to introduce III/V film structures (eg, gallium arsenide (GaAs), indium arsenide (InAs) onto silicon wafers due to their high electron mobility and low power consumption. Aqueous solutions generated during chemical and mechanical planarization of silicon

商品

Colloidal quantum dots (CQDs) are semiconducting crystals of only a few nanometers (ca. 2–12 nm) coated with ligand/surfactant molecules to help prevent agglomeration.

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