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Sigma-Aldrich
Silicon, powder, −325 mesh, 99% trace metals basis
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Sigma-Aldrich
Silicon, wafer (single side polished), <100>, N-type, contains no dopant, diam. × thickness 2 in. × 0.5 mm
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Sigma-Aldrich
Silicon, wafer (single side polished), <111>, N-type, contains no dopant, diam. × thickness 2 in. × 0.5 mm
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Sigma-Aldrich
Silicon, nanopowder, <100 nm particle size (TEM), ≥98% trace metals basis
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Sigma-Aldrich
Silicon, wafer (single side polished), <100>, P-type, contains boron as dopant, diam. × thickness 3 in. × 0.5 mm
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Sigma-Aldrich
Silicon, wafer (single side polished), <100>, P-type, contains boron as dopant, diam. × thickness 2 in. × 0.5 mm
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Sigma-Aldrich
Silicon, wafer (single side polished), <111>, N-type, contains phosphorus as dopant, diam. × thickness 2 in. × 0.5 mm
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Sigma-Aldrich
Silicon, pieces, 99.95% trace metals basis
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Sigma-Aldrich
Silicon, wafer (single side polished), <100>, N-type, contains phosphorus as dopant, diam. × thickness 3 in. × 0.5 mm
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Sigma-Aldrich
Silicon, wafer (single side polished), <100>, N-type, contains no dopant, diam. × thickness 3 in. × 0.5 mm
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Sigma-Aldrich
Silicon, wafer (single side polished), <100>, N-type, contains phosphorus as dopant, diam. × thickness 2 in. × 0.5 mm
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Sigma-Aldrich
Silicon, wafer, <111>, P-type, contains boron as dopant, diam. × thickness 2 in. × 0.3 mm
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Sigma-Aldrich
Silicon, wafer (single side polished), <111>, N-type, contains no dopant, diam. × thickness 3 in. × 0.5 mm
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Sigma-Aldrich
Silicon, wafer (single side polished), <111>, P-type, contains boron as dopant, diam. × thickness 3 in. × 0.5 mm
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